SN3 Series-IGBT塑料方殼針式引出吸收電容器
SN3系列電容器是為阻呢吸收和脈沖應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)的。高頻和高脈沖應(yīng)用要求，對(duì)于IGBT聯(lián)接應(yīng)用非?？煽?。除本手冊(cè)產(chǎn)品外，如有特殊需求，可對(duì)參數(shù)、尺寸等進(jìn)行定制。
SN3系列電容器是為阻呢吸收和脈沖應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)的。高頻和高脈沖應(yīng)用要求，對(duì)于IGBT聯(lián)接應(yīng)用非?？煽?。除本手冊(cè)產(chǎn)品外，如有特殊需求，可對(duì)參數(shù)、尺寸等進(jìn)行定制。
產(chǎn)品概述
設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)：IEC 61071，IEC 60068，ROHS設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)：IEC 61071，IEC 60068，ROHS設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)：IEC 61071，IEC 60068，ROHS
介質(zhì)材料：金屬化聚丙烯膜(PP)
結(jié)構(gòu)封裝：塑料方殼，環(huán)氧樹脂，鍍錫銅線引出。
電容器采用雙面金屬化聚丙稀或聚脂膜，內(nèi)部串聯(lián)連接，塑料方殼，環(huán)氧樹脂封裝。
應(yīng)用:
SN3系列電容器是為阻呢吸收和脈沖應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)的。高頻和高脈沖應(yīng)用要求，對(duì)于IGBT聯(lián)接應(yīng)用非常可靠。除本手冊(cè)產(chǎn)品外，如有特殊需求，可對(duì)參數(shù)、尺寸等進(jìn)行定制。
優(yōu)點(diǎn):
自愈性
低損耗
高紋波電流
內(nèi)部串聯(lián)連接
電容量與溫度變化為負(fù)向的
產(chǎn)品特性
容量范圍: 0.047μF ... 7.5μF
額定電壓（UNDC）: 700V ... 2000V
容量偏差：K:±10% ,J: ±5%
工作溫度：-40℃～+105℃
存儲(chǔ)溫度：-40℃～+105℃
氣候類別：40/85/56
介質(zhì)損耗： 2×10-4
損耗角正切：≤5×10-4（1kHz；20±5℃）
極間耐壓：1.5倍額定電壓（50HZ；10s ；20±5°C）
極殼耐壓：≥4000VAC (10s；50Hz)
絕緣電阻：(Ri x C )≥ 10,000S（100 VDC；60秒； 25°C）
預(yù)期壽命：100,000 小時(shí)（額定工況；熱點(diǎn)溫度≤85℃）
失效率：50 fit
